[发明专利]量子点转印方法在审
| 申请号： | 201711037180.0 | 申请日： | 2017-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN109728203A | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 张滔;向超宇;李乐;辛征航;张东华;邓天旸 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/50 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 官建红 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于量子点技术领域，具体涉及一种量子点转印方法。该量子点转印方法包括如下步骤：提供形状记忆聚合物印章的初始印章，所述初始印章设有初始凸型图案，将所述初始印章进行变形处理，使所述初始凸型图案的印面面积增大并形成形变凸型图案，得到形变印章；提供设置在供体基底表面的量子点初始薄膜，将所述形变凸型图案的印面与所述量子点初始薄膜接触，提取所述量子点初始薄膜材料；将所述形变印章恢复成所述初始印章的形态，使提取的量子点初始薄膜材料与目标基底接触，在所述目标基底上形成量子点图案化膜层。本发明可提高量子点薄膜的密度，并解决量子点薄膜上的孔洞、裂纹缺陷，能进一步有效提高量子点薄膜的光电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 量子点 印章 凸型图案 形变 薄膜 转印 薄膜材料 目标基 印面 形状记忆聚合物 图案化膜层 孔洞 薄膜接触 变形处理 光电性能 基底表面 裂纹缺陷 面积增大 供体 恢复 | ||
【主权项】：
1.一种量子点转印方法，其特征在于，包括如下步骤：提供形状记忆聚合物印章的初始印章，所述初始印章设有初始凸型图案，将所述初始印章进行变形处理，使所述初始凸型图案的印面面积增大并形成形变凸型图案，得到形变印章；提供设置在供体基底表面的量子点初始薄膜，将所述形变凸型图案的印面与所述量子点初始薄膜接触，提取所述量子点初始薄膜材料；将所述形变印章恢复成所述初始印章的形态，使提取的量子点初始薄膜材料与目标基底接触，在所述目标基底上形成量子点图案化膜层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
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