[发明专利]量子点转印方法

说明书

本发明属于量子点技术领域，具体涉及一种量子点转印方法。该量子点转印方法包括如下步骤：提供形状记忆聚合物印章的初始印章，所述初始印章设有初始凸型图案，将所述初始印章进行变形处理，使所述初始凸型图案的印面面积增大并形成形变凸型图案，得到形变印章；提供设置在供体基底表面的量子点初始薄膜，将所述形变凸型图案的印面与所述量子点初始薄膜接触，提取所述量子点初始薄膜材料；将所述形变印章恢复成所述初始印章的形态，使提取的量子点初始薄膜材料与目标基底接触，在所述目标基底上形成量子点图案化膜层。本发明可提高量子点薄膜的密度，并解决量子点薄膜上的孔洞、裂纹缺陷，能进一步有效提高量子点薄膜的光电性能。

技术领域

本发明属于量子点技术领域，具体涉及一种量子点转印方法。

背景技术

量子点具有发光颜色易调节、色彩饱和度高、可溶液加工、高稳定性等诸多优点，其被视为下一代显示技术的有力竞争者。在制备量子点薄膜时，旋涂法是最快捷、简便，且成膜质量好的溶液加工方式，然而旋涂法一般只能用于制备单色发光器件，而且使用旋涂法制备的量子点薄膜经常会存在在孔洞、裂纹之类的缺陷。

转印是一种制造全彩量子点发光器件的有效方法，在转印过程中可以利用动力学控制来调控弹性体印章与量子点薄膜间的粘附力，实现将量子点薄膜从供体基底到目标基底的转移。转印前，首先需要将量子点旋涂到供体基底上形成量子点薄膜，然后再通过印章将量子点薄膜转印到目标基底上。在转印过程中由于需要对印章加载压力，以增加印章与量子点薄膜之间的粘附力，因此，通常转印后的薄膜在垂直方向量子点紧密，然而在薄膜平面上由于旋涂法产生的孔洞、裂纹之类的缺陷仍然存在。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种量子点转印方法，旨在解决现有转印方法得到的量子点膜层表面存在孔洞、裂纹之类的缺陷的技术问题。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

本发明提供一种量子点转印方法，包括如下步骤：

提供形状记忆聚合物印章的初始印章，所述初始印章设有初始凸型图案，将所述初始印章进行变形处理，使所述初始凸型图案的印面面积增大并形成形变凸型图案，得到形变印章；

提供设置在供体基底表面的量子点初始薄膜，将所述形变凸型图案的印面与所述量子点初始薄膜接触，提取所述量子点初始薄膜材料；

将所述形变印章恢复成所述初始印章的形态，使提取的量子点初始薄膜材料与目标基底接触，在所述目标基底上形成量子点图案化膜层。

形状记忆聚合物(Shape Memory Polymers，简称SMP)又称为形状记忆高分子，是指具有初始形状的制品在一定的条件下改变其初始条件并固定后，通过外界条件(如热、电、光、化学感应等)的刺激又可恢复其初始形状的高分子材料。本发明提供的量子点转印方法中，利用含有形状记忆聚合物的材料制备的印章，经过一定条件处理(根据形状记忆聚合物的特性进行)可形成两种不同形态的印章：初始印章和形变印章，在本发明中，将供体基底上的量子点初始薄膜提取转印到形变印章上后，利用形状记忆聚合物的固有特性，使形变印章恢复到初始态的初始印章，这个恢复过程(即形变凸型图案的面积缩小形成初始凸型图案)可使印面上的量子点薄膜材料也受到平面方向作用力而面积变小，形成更致密的结构，如此再把致密的量子点薄膜材料转印于目标基底上形成致密的量子点图案化膜层。这样的转印方法可提高量子点薄膜的密度，并解决量子点薄膜上孔洞、裂纹等缺陷，能进一步有效提高量子点薄膜的光电性能。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明量子点转印方法中的初始印章形成图；