[发明专利]一种全覆盖吸气剂晶圆级电子元件及其封装方法在审
| 申请号： | 201711036185.1 | 申请日： | 2017-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN107963607A | 公开（公告）日： | 2018-04-27 |
| 发明（设计）人： | 黄向向;杨敏;道格拉斯.雷.斯巴克斯;关健 | 申请（专利权）人： | 罕王微电子(辽宁)有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81B7/02;B81C3/00 |
| 代理公司： | 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司21001 | 代理人： | 樊南星 |
| 地址： | 110000 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种全覆盖吸气剂晶圆级电子元件及其封装方法，全覆盖吸气剂晶圆级电子元件的基本构成单元包含下述几个部分器件晶圆(1)、腔体晶圆(2)；其二者通过键合工艺使两个晶圆键合成为一体，键合工艺通过键合层(5)来实现，在二者之间还设置有腔体(3)；腔体(3)内的腔体晶圆(2)内表面或是在器件晶圆(1)表面覆盖有一层有活性的覆盖层即吸气层结构(4)；吸气层结构(4)的成分为下述几种元素之一或其组合及其氧化物Ti，Co，Zr，Fe；吸气层结构(4)的厚度范围在500nm‑2um。吸气层结构(4)的制备应用物理气相沉积工艺溅射或蒸发或二者的组合。本发明结构和工艺简单，成本低，技术效果优良；具有可预期的较为巨大的经济和社会价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 覆盖 吸气 剂晶圆级 电子元件 及其 封装 方法 | ||
【主权项】：
一种全覆盖吸气剂晶圆级电子元件，其基本构成单元包含下述几个部分：器件晶圆(1)、腔体晶圆(2)；其二者通过键合工艺键合成为一体，键合工艺通过键合层(5)来实现；在器件晶圆(1)、腔体晶圆(2)二者之间还设置有腔体(3)；其特征在于：在腔体(3)内的腔体晶圆(2)内表面或是在器件晶圆(1)表面全部覆盖有一层有活性的覆盖层即吸气层结构(4)；吸气层结构(4)的成分包括且不限于下述几种元素之一或其组合以及其氧化物：Ti，Co，Zr，Fe；吸气层结构(4)的厚度范围在500nm‑2um；吸气层结构(4)的制备应用下述的物理气相沉积工艺：溅射或蒸发或二者的组合。
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