[发明专利]一种带隙基准参考源电路在审

专利信息
申请号: 201711014994.2 申请日: 2017-10-25
公开(公告)号: CN107608440A 公开(公告)日: 2018-01-19
发明(设计)人: 李振国;张海峰;胡毅;何洋;杨小坤;靳嘉桢 申请(专利权)人: 北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司;国家电网公司
主分类号: G05F1/567 分类号: G05F1/567
代理公司: 北京中誉威圣知识产权代理有限公司11279 代理人: 李晓康,王芳
地址: 100192 北京市海淀区*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种带隙基准参考源电路,包括第一P型晶体管、第二P型晶体管、第三P型晶体管、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻和差分放大器;差分放大器的第一端与第四电阻和第二电阻之间的连接节点相连,差分放大器的第二端与第五电阻和第一电阻之间的连接节点相连;差分放大器的第一端的电压与第二端的电压相同。该带隙基准参考源电路,通过选取适当的阻值,可以得到小于1V的带隙基准电压,并可以使得当VDD小于1V时也保证带隙基准参考源电路正常工作。同时,可以消除温度引起漏源电压变化,从而降低沟道调制效应的影响。
搜索关键词: 一种 基准 参考 电路
【主权项】:
一种带隙基准参考源电路,其特征在于,包括:第一P型晶体管、第二P型晶体管、第三P型晶体管、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻和差分放大器;所述第一P型晶体管的源极、第二P型晶体管的源极、第三P型晶体管的源极与电源相连,所述第一P型晶体管的栅极、第二P型晶体管的栅极、第三P型晶体管的栅极相互连接;所述第一P型晶体管的漏极依次串接所述第四电阻、第二电阻后与所述第一三极管的发射极相连;所述第二P型晶体管的漏极依次串接所述第五电阻、第一电阻、第三电阻后与所述第二三极管的发射极相连;所述第三P型晶体管的漏极通过所述第六电阻与所述第三三极管的发射极相连;所述第一三极管的基极、第二三极管的基极、第三三极管的基极相连并接地,且所述第一三极管的集电极、第二三极管的集电极、第三三极管的集电极相连并接地;所述第七电阻的一端与所述第三P型晶体管的漏极相连,另一端接地;所述差分放大器的第一端与所述第四电阻和所述第二电阻之间的连接节点相连,所述差分放大器的第二端与所述第五电阻和所述第一电阻之间的连接节点相连;所述差分放大器的第一端的电压与第二端的电压相同。
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