[发明专利]一种区熔气掺单晶硅的供气系统有效
| 申请号： | 201711011615.4 | 申请日： | 2017-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN109707998B | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 尚锐刚;王永涛;白杜娟;孟雪莹;李明飞;闫志瑞 | 申请（专利权）人： | 有研半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | F17D1/04 | 分类号： | F17D1/04;F17D3/01 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青;熊国裕 |
| 地址： | 101300 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种区熔气掺单晶硅的供气系统，包括：供气装置、气体分流装置和管道清扫装置；其中，所述供气装置包括至少两个气瓶，每个所述气瓶中的气体浓度不同；所述气体分流装置中设置有与所述供气装置的所述气瓶对应的至少两个储气装置，用于对多台设备同时供应不同浓度的气体；所述管道清扫装置包括高纯氮气瓶和真空发生器，高纯氮气瓶通过供气管道分别连接至供气装置的各气瓶与储气装置的供气管道上，高纯氮气瓶另通过供气管道连接真空发生器，然后连接至供气装置的各气瓶与储气装置的供气管道上，用于为所述供气装置供应高纯氮气。采用本发明的供气系统，可在不更换气源的情况下，生产更宽电阻率范围的区熔单晶硅，提高了生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 区熔气掺 单晶硅 供气 系统 | ||
【主权项】：
1.一种区熔气掺单晶硅的供气系统，其特征在于，包括：供气装置、气体分流装置和管道清扫装置；其中，所述供气装置包括至少两个气瓶，每个所述气瓶中的气体浓度不同；所述气体分流装置中设置有与所述供气装置的所述气瓶对应的至少两个储气装置，用于对多台设备同时供应不同浓度的气体；所述管道清扫装置包括高纯氮气瓶和真空发生器，高纯氮气瓶通过供气管道分别连接至供气装置的各气瓶与储气装置的供气管道上，高纯氮气瓶另通过供气管道连接真空发生器，然后连接至供气装置的各气瓶与储气装置的供气管道上，用于为所述供气装置供应高纯氮气。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于有研半导体材料有限公司，未经有研半导体材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711011615.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
