[发明专利]一种硒化铅纳米棒、制备方法及在场效应晶体管中的应用有效

专利信息
申请号: 201710972823.4 申请日: 2017-10-18
公开(公告)号: CN107792839B 公开(公告)日: 2021-01-29
发明(设计)人: 马万里;韩璐 申请(专利权)人: 苏州大学
主分类号: C01B19/04 分类号: C01B19/04;H01L29/24;H01L29/775;H01L21/34;B82Y30/00
代理公司: 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 代理人: 陶海锋
地址: 215137 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种硒化铅纳米棒、制备方法及在场效应晶体管中的应用。以氧化铅、反式‑2‑癸烯酸为原料制备铅前驱体,再经反应和后处理,得到一种硒化铅纳米棒,分子式为PbSe,表面配体为有机酸反式‑2‑癸烯酸,带隙为1.03电子伏特。将提供的硒化铅纳米棒应用于场效应晶体管,以无机配体四正丁基卤化铵交换硒化铅纳米棒表面的有机酸配体,其电学性能显示双极性,在真空下测得的电子迁移率是0.1 cm2/Vs;空穴迁移率为1.1×10‑4 cm2/Vs。在50~297 K变温中,电荷传输机制在200 K时由最邻近跃迁机制转变为可变区域内跃迁机制且电荷传输由高度无序状态主导,可广泛应用于太阳能电池和光电探测器等领域。
搜索关键词: 一种 硒化铅 纳米 制备 方法 在场 效应 晶体管 中的 应用
【主权项】:
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