[发明专利]一种四元硫化物半导体材料及其制备方法和用途

摘要

本发明公开了一种四元硫化物半导体材料及其制备方法和用途。以碱金属化合物、金属铜、二元固溶体硫化锑和单质硫为原料，水合肼和聚乙二醇为溶剂，在120‑190℃烘箱中反应4‑9天，得到四元硫化物半导体材料。化学组成式为：RbCuSb₂S₄，属于单斜晶系，空间群是C12/c1，β＝105.75°，Z＝4，能隙为1.74eV。本方法具有操作过程简单，原料成本低，反应条件温和，合成温度低等优点。采用本方法得到的四元硫化物，产率可达到60％‑90％，晶粒尺寸为150‑300μm，化学纯度高，用于制备光学半导体器件。

主权项

1.一种四元硫化物半导体材料的制备方法，其特征在于，其化学组成式为：RbCuSb₂S₄，属于单斜晶系，空间群是C12/c1，a=7.3272 Å，b=11.1628Å，c=10.7849Å，β=105.75°，Z=4，V=849.01 Å³，能隙为1.74 eV；所述制备方法为：取初始原料RbCl 1.0 mmol、Cu 2.0 mmol、Sb₂S₃0.8mmol和S 2.0 mmol放入水热釜中，再加入水合肼1.6mL和聚乙二醇2.5 mL，将水热釜置于170℃下反应7天。