[发明专利]一种空气绝缘低阻硅柱垂直通孔结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201710944258.0 | 申请日： | 2017-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN107731744A | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 丁英涛;高巍;张子岳;肖磊 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48;H01L23/532 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100081 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种空气绝缘低阻硅柱垂直通孔结构及其制造方法，属于微电子集成技术领域。该结构主要包括嵌入在衬底中的低阻硅柱；包围低阻硅柱的环形空气深槽。制造方法主要包括在低阻硅衬底上沉积绝缘层；在绝缘层上刻蚀出铝硅接触区域；正面沉积Al/Ti层；光刻互连线图案并电镀金属；去除互连线之外的Al/Ti层；背部减薄；深硅刻蚀形成环形空气间隙。本发明采用空气(介电常数为1)作为绝缘层，低阻硅柱作为中心导电体，极大地降低了低阻硅柱垂直通孔与衬底之间的寄生电容，降低了工艺难度，提高了器件结构的可靠性，是一种超低寄生电容、低成本、高密度的垂直通孔结构，广泛适用于三维集成封装中的转接板应用，具有通用性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 空气 绝缘 低阻硅柱 垂直 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种空气绝缘低阻硅柱垂直通孔结构，其特征在于，包括：低阻硅衬底；低阻硅衬底中的低阻硅柱；包围低阻硅柱的环形空气间隙；衬底上下表面的绝缘层；绝缘层上的金属互连线。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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