[发明专利]用于高纵横比的基本垂直的深硅沟槽的硅外延有效
| 申请号： | 201710913013.1 | 申请日： | 2017-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN107887271B | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | T·托梅娜瑞;S·铃木;S·斯瑞达;C·B·可音可;S·J·莫洛伊;H·卡瓦哈勒 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L29/06;H01L29/66;H01L29/772 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 徐东升;王爽 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及用于高纵横比的基本垂直的深硅沟槽的硅外延。本申请公开了一种形成半导体器件的方法(600C)，其包括：在掺杂有具有第一导电类型的第一掺杂剂的半导体区域中蚀刻(605)高纵横比的基本垂直的沟槽，并且在高纵横比的基本垂直的沟槽的内表面上执行(610)用于沉积掺杂有第二掺杂剂的硅的第一循环，第一循环包括交替地以第一恒定压力沉积硅并且以从第一值斜升至第二值的蚀刻压力蚀刻沉积的硅，第二掺杂剂具有与第一导电类型相反的第二导电类型。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 纵横 基本 垂直 沟槽 外延 | ||
【主权项】：
一种形成半导体器件的方法，其包括：在掺杂有具有第一导电类型的第一掺杂剂的半导体区域中蚀刻高纵横比的基本垂直的深沟槽；以及执行用于在所述高纵横比的基本垂直的沟槽的内表面上沉积掺杂有第二掺杂剂的外延硅的第一循环，所述第一循环包括交替地进行以下：以第一恒定压力沉积外延硅，以及以从第一值斜升至第二值的蚀刻压力蚀刻所述沉积的外延硅，所述第二掺杂剂具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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