[发明专利]一种发光二极管外延片及其制造方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底、缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、电子阻挡层和P型氮化镓层，多量子阱层包括多个第一子层，各个第一子层包括阱层、盖层和垒层，各个阱层为铟镓氮层，各个垒层为氮化镓层，各个盖层包括第二子层至第七子层，第二子层和第三子层均为铟镓氮层，第三子层中铟的组分含量、第二子层中铟的组分含量、阱层中铟的组分含量逐层增多；第四子层为氮化镓层，第五子层至第七子层均为铝镓氮层，第六子层中铝的组分含量、第五子层中铝的组分含量、第七子层中铝的组分含量、电子阻挡层中铝的组分含量逐层增多。本发明可提高LED的发光效率。

主权项

1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、电子阻挡层和P型氮化镓层，所述电子阻挡层为铝镓氮层，所述多量子阱层包括依次层叠的多个第一子层，各个所述第一子层包括从所述衬底侧起依次向上层叠的阱层、盖层和垒层，各个所述阱层为铟镓氮层，各个所述垒层为氮化镓层，其特征在于，各个所述盖层包括从所述衬底侧起依次向上层叠的第二子层、第三子层、第四子层、第五子层、第六子层和第七子层，所述第二子层和所述第三子层均为铟镓氮层，所述第三子层中铟的组分含量小于所述第二子层中铟的组分含量，所述第二子层中铟的组分含量小于所述阱层中铟的组分含量；所述第四子层为氮化镓层，所述第五子层、所述第六子层和所述第七子层均为铝镓氮层，所述第六子层中铝的组分含量小于所述第五子层中铝的组分含量，所述第五子层中铝的组分含量小于所述第七子层中铝的组分含量，所述第七子层中铝的组分含量小于所述电子阻挡层中铝的组分含量。