[发明专利]基于GTEM的局部放电特高频标定的场强溯源方法及系统

摘要

本发明公开了一种基于GTEM的局部放电特高频标定的场强溯源方法及系统，所述方法包括向设置了单极探针的GTEM小室内发射多组脉冲信号，电压测量单元测量通过单极探针传递的信号的电压值，并通过单极探针的传递函数计算得出设置单极探针位置的电场强度；通过计算机仿真模拟GTEM小室内在相同脉冲信号条件下对应位置的电场强度并修正，将仿真电场强度与试验计算的电场强度进行对比，以确认试验计算的电场强度的准确性；所述系统包括脉冲信号源单元、GTEM小室、单极探针、电压测量单元、计算机以及修正单元；所述方法及系统可进一步用于局部放电特高频检测系统灵敏度的验证，以确保安装在电网内的特高频检测设备可靠运行。

主权项

一种基于GTEM的局部放电特高频标定的场强溯源方法，所述方法包括：步骤1，脉冲信号源单元通过GTEM小室输入端向GTEM小室内发射多组脉冲信号；电压测量单元测量通过单极探针接收到信号的电压值；所述单极探针的一端垂直设置于GTEM小室外壳内侧后段场强均匀处；步骤2，通过单极探针测得的电压值以及单极探针的传递函数，得到单极探针设置位置的电场强度；步骤3，在计算机软件上建立与上述GTEM小室等尺寸、同结构的三维模型，并在对应单极探针设置位置设置仿真电场检测点；步骤4，在所述三维仿真GTEM小室的输入端载入与脉冲信号源单元相同的多组脉冲信号；由所述仿真电场监测点得到仿真电场强度；步骤5，将试验计算得到的单极探针设置位置的电场强度与相同脉冲信号下仿真电场检测点得到的仿真电场强度进行比对，若最大误差小于P％，则判定试验计算得到的单极探针设置位置的电场强度准确。