[发明专利]独居石的阴极发光成像方法在审
| 申请号： | 201710866383.4 | 申请日： | 2017-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN107727677A | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 杨赛红;闫欣;陈意;苏本勋;谷立新;唐旭 | 申请（专利权）人： | 中国科学院地质与地球物理研究所 |
| 主分类号： | G01N23/225 | 分类号： | G01N23/225 |
| 代理公司： | 北京风雅颂专利代理有限公司11403 | 代理人： | 王安娜,李翔 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种独居石的阴极发光成像方法，包括对独居石矿物颗粒进行制靶，得到树脂靶；对所述树脂靶抛光，使独居石露出于所述树脂靶；在露出于所述树脂靶的独居石进行镀膜，将镀膜面朝上，并用导电胶将镀膜后的树脂靶固定在场发射扫描电镜的样品台上，将场发射扫描电镜的样品仓抽真空，使所述树脂靶处于真空条件下；选择阴极发光探头的工作距离；选择电子束的加速电压；选择电子束的束斑大小；选择初级增益值；获取独居石单颗粒的图像。本发明对独居石进行高分辨阴极发光发光成像，解决了独居石一直以来阴极发光整体黑的问题，达到清晰地反映独居石的内部结构特征，起到了独居石原位微区定年精准选点的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 独居石 阴极 发光 成像 方法 | ||
【主权项】：
一种独居石的阴极发光成像方法，其特征在于，包括以下步骤：对独居石矿物颗粒进行制靶，得到树脂靶；对所述树脂靶抛光，使独居石露出于所述树脂靶；在露出于所述树脂靶的独居石进行镀膜，将镀膜面朝上，并用导电胶将镀膜后的树脂靶固定在场发射扫描电镜的样品台上，将场发射扫描电镜的样品仓抽真空，使所述树脂靶处于真空条件下；选择独居石树脂靶表面的工作距离；选择电子束的加速电压；选择电子束的束斑大小；选择光电倍增管的高压值；获取独居石单颗粒的图像。
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