[发明专利]一种基于偏最小二乘方法的电阻抗成像方法在审
| 申请号： | 201710854425.2 | 申请日： | 2017-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN107647866A | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 刘瑞兰;张夏婉;戎舟 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | A61B5/053 | 分类号： | A61B5/053 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司32200 | 代理人： | 刘莎 |
| 地址： | 210023 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于偏最小二乘方法的电阻抗成像方法采用电阻抗成像方法，分别在空载和放置成像目标两种模式下进行电流激励，采集两种模式下测量的边界电压，通过求得的边界电压变化矩阵以及敏感矩阵信息，利用偏最小二乘方法计算出目标区域阻抗分布变化，从而实现电阻抗图像重建。本发明的方法修正了图像重构的结果，提高了电阻抗成像的成像质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 最小 方法 阻抗 成像 | ||
【主权项】：
一种基于偏最小二乘方法的电阻抗成像方法，其特征在于，具体步骤如下：步骤1，分别在空载和放置目标两种模式下进行电流激励，并分别采集两种模式下测量的边界电压，得到目标区域阻抗变化所引起的边界电压变化矩阵；步骤2，根据敏感性定理理论，对成像区域进行有限元剖分，求出有限元剖分单元对应的敏感矩阵；步骤3，根据步骤1得到的边界电压变化矩阵和步骤2得到的敏感矩阵求出目标区域阻抗分布变化矩阵；步骤4，通过不同频率下的目标区域阻抗分布变化矩阵，重构出电阻抗成像图像。
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