[发明专利]一种低导热率非导体材料高温半球发射率测量方法与系统有效
| 申请号： | 201710853728.2 | 申请日： | 2017-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN107655833B | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 邱超;李世伟;孙红胜;何立平;宋春晖;杜继东 | 申请（专利权）人： | 北京振兴计量测试研究所 |
| 主分类号： | G01N21/17 | 分类号： | G01N21/17;G01N21/25 |
| 代理公司： | 11386 北京天达知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 龚颐雯;王一 |
| 地址： | 100074 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种低导热率非导体材料高温半球发射率测量方法与系统。该方法利用材料常温、高温、法向、半球发射率的关系，通过测量常温半球发射率、常温法向发射率及高温法向发射率，导出材料高温半球发射率。测量系统包括常温半球发射率测量装置、常温法向发射率测量装置及高温法向发射率测量装置。本发明通过间接测量的方式，得出高温半球发射率，实现了低导热率非导体材料高温半球发射率测量途径，测量过程科学，结果准确可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 导热 非导体 材料 高温 半球 发射 测量方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种低导热率非导体材料高温半球发射率测量方法，其特征在于，包括如下步骤：/nS1、测量被测样品(3)的常温半球发射率；/nS2、测量被测样品(3)的常温法向发射率；/nS3、测量被测样品(3)的高温法向发射率；/nS4、通过被测样品(3)的常温半球发射率、常温法向发射率、高温法向发射率，得到被测样品(3)的高温半球发射率；/n所述步骤S1中，常温半球发射率包括：常温半球光谱发射率ε
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京振兴计量测试研究所，未经北京振兴计量测试研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710853728.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种贴膜装置
- 下一篇：一种基于表面等离激元共振单元的偏振传感器及传感方法
