[发明专利]一种高阻GaN薄膜外延生长的方法有效
| 申请号： | 201710840381.8 | 申请日： | 2017-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN107887255B | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 罗伟科;杨乾坤;李忠辉 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 沈根水 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明是一种高阻GaN薄膜外延生长方法，是在MOCVD设备中进行的，包括衬底烘烤、成核、外延生长阶段，其特征在于：在外延生长阶段，采用金属有机物三甲基铟（TMIn）作为C杂质掺杂源。优点：实现了GaN薄膜的高阻性能。同时由于高温下TMIn难于在晶格中形成In‑N键，较高的生长温度避免了InGaN合金的形成，保证了GaN薄膜的晶格结构的完整性。可以通过改变掺杂剂TMIn流量的大小，对GaN外延层中的C杂质浓度进行有效控制，掺杂效率高，重复性稳定。无需对MOCVD系统增掺杂源管路，无需安装其他C掺杂源，充分利用设备现有的资源，简单易行，外延材料性能好，实现高阻GaN薄膜高质量、低成本生长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 薄膜 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种高阻GaN薄膜外延生长方法，是在MOCVD设备中进行的，包括衬底烘烤、成核、外延生长阶段，其特征在于：在外延生长阶段，采用金属有机物三甲基铟（TMIn）作为C杂质掺杂源。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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