[发明专利]一种氟化二维羟基硅烷材料及制备方法在审
| 申请号： | 201710779697.0 | 申请日： | 2017-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN109422268A | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 封伟;王宇;赵付来;冯奕钰 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C01B33/10 | 分类号： | C01B33/10 |
| 代理公司： | 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 | 代理人： | 王秀奎 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开一种氟化二维羟基硅烷材料及制备方法，以钙硅反应得到二硅化钙，再与浓盐酸反应得到羟基硅烷，最后与氟气反应即可得到氟化二维羟基硅烷材料，氟原子取代氢原子从而得到氟化后的二维材料。本发明反应原料易得，过程简便，工艺简单，氟化后材料对氧气耐受性提高，带隙得到调整，材料制备以及稳定性对比其他类石墨烯二维材料具有显著优势。 | ||
| 搜索关键词： | 氟化 羟基硅烷 二维 二维材料 制备 耐受性 氟原子取代 材料制备 反应原料 类石墨烯 硅化钙 浓盐酸 氢原子 带隙 氟气 钙硅 氧气 | ||
【主权项】：
1.一种氟化二维羟基硅烷材料，其特征在于，按照下述步骤进行：步骤1，以单质硅和钙熔融冷却析出得到层状晶体二硅化钙，即金属单质钙、硅以物质的量比例1:2混合均匀后真空封装，在惰性保护气体气氛中自室温20—25摄氏度升温至900℃～1100℃并保温15—30小时，保温后在40—120小时内降温至室温20—25摄氏度，得到层状晶体二硅化钙；步骤2，将步骤1制备的二硅化钙与浓盐酸在0℃～‑30℃下反应处理140—240小时，过滤、洗涤、干燥后得到羟基硅烷；步骤3，将步骤2制备的羟基硅烷在室温20—30摄氏度下与氟气密闭反应，以实现氟对氢原子的全部取代。
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