[发明专利]一种虚拟N电极的发光二极管及其制作方法在审
| 申请号： | 201710769745.8 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN109427935A | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 彭璐;于峰;厉夫吉;肖成峰;郑兆河;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种虚拟N电极的发光二极管及其制作方法，在P‑GaN层表面且覆盖N‑Finger的区域设置有虚拟N‑Pad，虚拟N‑Pad与N‑Finger及N‑GaN层相导通。由于在水平方向上N‑Finger图形的投影面积与P‑Pad图形的投影面积部分重叠，因此在刻蚀P‑GaN层时可以少刻蚀N‑Finger与P‑Pad相重合的面积，在芯片面积不变的情况下，减小了刻蚀至N‑GaN层的面积，变相的就增加了P‑GaN层的面积，降低了注入电流密度，配合优化的N‑Finger可以达到降低电压，提高光效的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 虚拟 发光二极管 刻蚀 投影 降低电压 区域设置 重合 导通 光效 减小 制作 芯片 覆盖 优化 配合 | ||
【主权项】：
1.一种虚拟N电极的发光二极管，其特征在于，包括：自下而上依次设置的蓝宝石衬底(7)、N‑GaN层(8)、多量子阱发光层(10)、P‑GaN层(9)及ITO电流扩展层(11)，所述N‑GaN层(8)一侧具有露出的N‑GaN表面，所述ITO电流扩展层(11)上方设置有P‑Pad(1)，所述ITO电流扩展层(11)上方设置钝化层Ⅰ(3)，所述露出的N‑GaN表面上设置有N‑Pad(2)及与N‑Pad(2)相连的N‑Finger(4)，所述露出的N‑GaN表面上以及N‑GaN层(8)、多量子阱(10)、P‑GaN层(9)之间设置有钝化层Ⅱ(6)，所述P‑GaN层(9)表面且覆盖N‑Finger(4)的区域设置有虚拟N‑Pad(5)，所述虚拟N‑Pad(5)与N‑Finger(4)及N‑GaN层(8)相导通，虚拟N‑Pad(5)通过钝化层Ⅱ(6)与P‑GaN层(9)相隔绝，在水平方向上虚拟N‑Pad(5)的投影面积与P‑Pad(1)的投影面积部分重叠。
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