[发明专利]一种深紫外半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201710729769.0 | 申请日： | 2017-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN109427938A | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 陈刚;张纪才;王建峰;徐科 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;中国科学院大学 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/04;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王茹;王锋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种深紫外半导体器件及其制作方法。所述深紫外半导体器件包括沿设定方向依次设置的n型AlGaN层、多量子阱结构、电子阻挡层及p型GaN层，所述电子阻挡层包括具有渐变超晶格结构的p型AlxGa1‑xN，0≤x＜1，所述渐变超晶格结构包括交替层叠的复数个超晶格势垒层和复数个超晶格势阱层，并且沿着所述选定方向，第一个超晶格势垒层至最后一个超晶格势垒层内的Al组分含量逐级递减至0，第一个超晶格势阱层至最后一个超晶格势阱层内的Al组分含量逐级递减至0。本发明的渐变超晶格结构可对能带进行调制，缓解由于高的激活能引起的P型掺杂效率低的问题，将电子有效地限制在量子阱里，降低空穴向量子阱注入的阻碍势垒，提高深紫外LED器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 超晶格 超晶格结构 紫外半导体 势垒层 势阱层 渐变 电子阻挡层 逐级递减 量子阱 复数 多量子阱结构 空穴 深紫外LED 交替层叠 依次设置 激活能 有效地 势垒 调制 制作 缓解 阻碍 | ||
【主权项】：
1.一种深紫外半导体器件，包括沿设定方向依次设置的n型AlGaN层、多量子阱结构、电子阻挡层及p型GaN层，其特征在于：所述电子阻挡层包括具有渐变超晶格结构的p型AlxGa1‑xN，0≤x＜1，所述渐变超晶格结构包括交替层叠的复数个超晶格势垒层和复数个超晶格势阱层，并且沿着所述选定方向，第一个超晶格势垒层至最后一个超晶格势垒层内的Al组分含量逐级递减至0，第一个超晶格势阱层至最后一个超晶格势阱层内的Al组分含量逐级递减至0。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;中国科学院大学，未经中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;中国科学院大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710729769.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体元件及其制造方法
- 下一篇：一种QLED器件及其制备方法
