[发明专利]一种三维结构陶瓷电容器及其制备方法有效
| 申请号： | 201710707116.2 | 申请日： | 2017-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN107516599B | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 杨俊锋;丁明建;李杰成;庄彤;冯毅龙 | 申请（专利权）人： | 广州天极电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/12 | 分类号： | H01G4/12;H01G13/00 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 王戈 |
| 地址： | 510000 广东省广州市海珠区大干*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种三维结构陶瓷电容器的制备方法及电容器。所述方法包括以下步骤：将半导体陶瓷粉末流延膜通过热压成型为生坯片；在所述生坯片上冲出通孔；把未冲孔的所述生坯片和冲孔后的所述生坯片叠放在一起，分别通过热压和静水压形成成型坯片；将所述成型坯片放入还原气氛中烧结，得到半导化陶瓷片；对所述半导化陶瓷片进行表面氧化；将表面氧化后所述半导化陶瓷片未冲孔的一面研磨，去除表面氧化绝缘层；对研磨后的所述半导化陶瓷片两面进行金属化，得到三维结构表面层型半导体陶瓷电容器。采用本发明的方法或电容器，可以极大地增大电容器容量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 结构 陶瓷 电容器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种三维结构陶瓷电容器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将半导体陶瓷粉末流延膜热压成型为生坯片；所述半导体陶瓷粉末包括钛酸钡、钛酸锶或者二氧化钛半导体陶瓷电容器瓷料；在所述生坯片上冲出通孔；把未冲孔的所述生坯片和冲孔后的所述生坯片叠放在一起，通过热压和静水压形成成型坯片；将所述成型坯片放入还原气氛中烧结，得到半导化陶瓷片；对所述半导化陶瓷片进行表面氧化；将表面氧化后所述半导化陶瓷片未冲孔的一面研磨，去除表面氧化绝缘层；对研磨后的所述半导化陶瓷片两面进行金属化，得到三维结构表面层型半导体陶瓷电容器。
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