[发明专利]制作黑硅及黑硅表面钝化层的方法有效
申请号: | 201710686567.2 | 申请日: | 2017-08-08 |
公开(公告)号: | CN107482084B | 公开(公告)日: | 2019-02-01 |
发明(设计)人: | 李华高;雷仁方;廖乃镘;杨修伟;郭培 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人: | 侯懋琪;侯春乐 |
地址: | 400060 重庆*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | 本发明公开了一种制作黑硅及黑硅表面钝化层的方法,该方法先在工艺片上制作出黑硅,然后通过低温工艺在黑硅表面制作出钝化层;本发明的有益技术效果是:提出了一种制作黑硅及黑硅表面钝化层的方法,该方法可以在低温条件下使黑硅表面钝化,从而避免高温工艺所存在的各种问题,有效提高黑硅的品质。 | ||
搜索关键词: | 制作 表面 钝化 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制作黑硅及黑硅表面钝化层的方法,包括硅材质的工艺片;其特征在于:所述方法包括:1)将工艺片浸入第一溶液中,待黑硅形成后,将工艺片从第一溶液中取出;所述第一溶液为硝酸铜、过氧化氢和氢氟酸的混合溶液;工艺片浸泡过程中,采用水浴加热方式,将第一溶液的温度控制在25~40℃;2)用氢氟酸溶液对黑硅进行腐蚀,待黑硅表面的自然氧化层被腐蚀掉后,将工艺片清洗干净;3)将工艺片浸入第二溶液中,待黑硅表面形成致密的铜膜后,将工艺片从第二溶液中取出,然后用去离子水将工艺片清洗干净,然后对工艺片进行脱水处理;所述第二溶液为硝酸铜和氢氟酸的混合溶液;4)在氮气氛围中对工艺片进行加热,加热温度为200℃,加热时间为1小时,加热过程中,黑硅表面有铜硅生成;加热结束后,使工艺片暴露在常温空气中,黑硅表面就会生长出二氧化硅钝化层,二氧化硅钝化层厚度满足要求后,将工艺片浸入硝酸溶液中,将工艺片上残留的铜去除干净,然后将工艺片从硝酸溶液中取出,然后用去离子水将工艺片清洗干净,然后对工艺片进行脱水处理,操作完成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的