[发明专利]一种磁场调制柯肯达尔效应制备中空/介孔纳米结构材料的方法有效
| 申请号： | 201710684802.2 | 申请日： | 2017-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN107399738B | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 盛志高;卞跃成;丁伟;胡林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 主分类号： | C01B33/02 | 分类号： | C01B33/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 230031 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磁场调制柯肯达尔效应制备中空/介孔纳米结构材料的方法，在利用柯肯达尔效应制备中空/介孔纳米结构材料的过程中，其中的水热反应步骤是在外加磁场条件下进行的。本发明利用外加磁场在较低的温度下大大缩短了利用柯肯达尔效应从实心纳米结构材料到中空/介孔纳米结构材料的转化时间，对于降低反应制备成本有巨大的效益价值，符合当前节约能源和保护环境的发展主题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁场 调制 柯肯达尔 效应 制备 中空 纳米 结构 材料 方法 | ||
【主权项】：
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