[发明专利]一种湿法刻蚀方法、双面太阳电池及其制作方法

摘要

本发明公开了一种湿法刻蚀方法、双面太阳能电池及其制作方法，控制衬底结构的磷硅玻璃层浸入第一刻蚀液，裸露硼扩散层和硼硅玻璃层，去除磷硅玻璃层，不会对硼扩散层和硼硅玻璃层造成影响；将衬底结构两表面反转，控制衬底结构的边缘磷扩散层、硼扩散层和硼硅玻璃层浸入第二刻蚀液，裸露磷扩散层，去除边缘磷扩散层，由于硼硅玻璃层对硼扩散层的保护作用而并不对硼扩散层造成影响；控制衬底结构的硼硅玻璃层浸入第三刻蚀液，且裸露磷扩散层，去除硼硅玻璃层，不会对磷扩散层造成影响，最终达到刻蚀的目的。通过湿法刻蚀及控制衬底结构漂浮在刻蚀液中条件，逐渐将磷硅玻璃层、边缘磷扩散层及硼硅玻璃层去除，保证双面太阳能电池的光电转换效率高。

主权项

1.一种湿法刻蚀方法，应用于双面太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底结构，所述衬底结构包括衬底硅片，所述衬底硅片一表面扩散有硼扩散层，且所述硼扩散层背离所述衬底硅片一侧形成有硼硅玻璃层；及，所述衬底硅片背离所述硼扩散层一侧扩散有磷扩散层，所述衬底硅片侧面扩散有边缘磷扩散层，且所述磷扩散层和所述边缘磷扩散层背离所述衬底硅片一侧形成有磷硅玻璃层；控制所述衬底结构漂浮于第一刻蚀液中，刻蚀去除所述磷硅玻璃层，其中，所述磷硅玻璃层浸入所述第一刻蚀液，且裸露所述硼扩散层和所述硼硅玻璃层；控制所述衬底结构漂浮于第二刻蚀液中，刻蚀去除所述边缘磷扩散层，其中，所述边缘磷扩散层、硼扩散层和硼硅玻璃层浸入所述第二刻蚀液，且裸露所述磷扩散层；控制所述衬底结构漂浮于第三刻蚀液中，刻蚀去除所述硼硅玻璃，其中，所述硼硅玻璃层浸入所述第三刻蚀液，且裸露所述磷扩散层。