[发明专利]使用共聚物多层电解质的负型显影方法和由其制备的制品在审
| 申请号： | 201710590169.0 | 申请日： | 2017-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN107665815A | 公开（公告）日： | 2018-02-06 |
| 发明（设计）人： | P·D·休斯塔德;J·朴;J·张;V·吉安;成镇旭 | 申请（专利权）人： | 陶氏环球技术有限责任公司;罗门哈斯电子材料有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/30 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 陈哲锋,胡嘉倩 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文公开一种多层制品，其包含衬底；以及安置于所述衬底上方的两个或更多个层，其中每一所述层包含嵌段共聚物，其包含第一嵌段和第二嵌段，其中所述第一嵌段包含含有氢受体或氢供体的重复单元，且所述第二嵌段包含当所述第一嵌段的重复单元含有氢受体时含有氢供体或当所述第一嵌段的重复单元含有氢供体时含有氢受体的重复单元；其中所述两个或更多个层的最内层的所述第一嵌段结合到所述衬底，且安置于所述最内层上方的每一层的所述第一嵌段结合到各别底层的所述第二嵌段；且其中最外所述两个或更多个层的所述第二嵌段的所述氢供体或氢受体为封端的。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 共聚物 多层 电解质 显影 方法 制备 制品 | ||
【主权项】：
一种多层制品，其包含：衬底；以及安置于所述衬底上方的两个或更多个层，其中每一所述层包含嵌段共聚物，其包含第一嵌段和第二嵌段，其中所述第一嵌段包含含有氢受体或氢供体的重复单元，且所述第二嵌段包含当所述第一嵌段的重复单元含有氢受体时含有氢供体或当所述第一嵌段的重复单元含有氢供体时含有氢受体的重复单元；其中所述两个或更多个层的最内层的所述第一嵌段结合到所述衬底，且安置于所述最内层上方的每一层的所述第一嵌段结合到各别底层的所述第二嵌段；且其中最外所述两个或更多个层的所述第二嵌段的所述氢供体或氢受体为封端的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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