[发明专利]一种薄层石墨烯/二硫化钼侧向异质结的制备方法在审
| 申请号： | 201710578166.5 | 申请日： | 2017-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN107481924A | 公开（公告）日： | 2017-12-15 |
| 发明（设计）人： | 张永哲;邓文杰;游聪娅;刘北云;陈永锋;申高亮 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司11203 | 代理人： | 张立改 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种薄层石墨烯/二硫化钼侧向异质结的制备方法，涉及到二维材料异质结制备领域。采用在硅/二氧化硅衬底上直接机械剥离制备薄层石墨烯材料，然后运用化学气相沉积的方法直接在上述衬底上沉积二硫化钼材料，实现由所述两种材料构成的侧向异质结的形成。本发明获得异质结材料的方法工艺简单，并且基础工艺成熟，能够避免传统方法中带来的一些对材料的污染，大大提高了石墨烯/二硫化钼异质结材料制备的成功率，减小了制备的难度，为将来异质结材料的量化生产提供了一种良好的思路和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄层 石墨 二硫化钼 侧向 异质结 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种薄层石墨烯/二硫化钼侧向异质结的制备方法，其特征在于，包括以下的步骤：(1)使用高定向热解石墨片为原料，使用机械剥离法在洁净的硅/二氧化硅衬底基片上的一侧制备薄层的石墨烯薄膜；(2)制备好的一侧具有薄层石墨烯的硅/二氧化硅衬底基片先后用丙酮、异丙醇、去离子水浸泡，洁净材料及衬底；(3)将一侧具有薄层石墨烯的硅/二氧化硅衬底基片直接置于CVD反应炉，通过调整硫源和钼源的位置，在所述的具有石墨烯的硅/二氧化硅衬底上侧向生长薄层二硫化钼，获得石墨烯/二硫化钼异质结。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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