[发明专利]一种非晶碳薄膜/单晶硅异质结太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种非晶碳薄膜/单晶硅异质结太阳能电池及其制备方法，该方法包括以下步骤清洗P型单晶硅片；以氢气稀释的硅烷为反应气体，P型单晶硅上表面沉积一层非晶硅薄膜；再以高纯甲烷和高纯氮气为反应气体，在非晶硅薄膜表面沉积一层掺氮非晶碳薄膜；再在非晶碳薄膜表面制备一层掺铝氧化锌透明导电薄膜；进一步在掺铝氧化锌透明导电薄膜表面制备银电极；然后在P型单晶硅下表面制备含有银铝复合电极的铝背表面场，获得电池；最后将获得的电池置于充满氩气的石英炉中进行热处理，最终电池制备完成。由该方法所制备的电池工艺简单且与当前硅异质结太阳能电池工艺相兼容，电池开路电压高、成本低，光电转换效率高。

主权项

一种非晶碳薄膜/单晶硅异质结太阳能电池及其制备方法，其特征在于，该方法包括下述步骤：（1）清洗P型单晶硅片；（2）以氢气稀释的硅烷为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术在P型单晶硅上表面沉积一层非晶硅薄膜；（3）以高纯甲烷和高纯氮气为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术在步骤（2）中所制备的非晶硅薄膜表面沉积一层掺氮非晶碳薄膜；（4）采用磁控溅射技术在步骤（3）中的非晶碳薄膜表面制备一层掺铝氧化锌透明导电薄膜；（5）采用磁控溅射技术在步骤（4）中的掺铝氧化锌透明导电薄膜表面制备银电极；（6）采用丝网印刷技术在P型单晶硅下表面制备含有银铝复合电极的铝背表面场，获得电池；（7）将步骤（6）中获得的电池置于充满氩气的石英退火炉中进行热处理，最终电池制备完成。