[发明专利]一种晶体生长装置及其组装方法有效
| 申请号： | 201710565407.2 | 申请日： | 2017-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN107354503B | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 吴晨 | 申请（专利权）人： | 吴晨 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/48 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 张函;王春伟 |
| 地址： | 100022 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种晶体生长装置及其组装方法，包括：内层装置、钼箔、钽层装置、外层装置；内层装置位于钽层装置内，钽层装置位于外层装置内，钼箔衬于钽层装置与内层装置之间。本申请晶体生长装置能够长时间耐受高温、高压条件，在使用熔体生长法生成晶体时，可以利用本申请晶体生长装置生成所需条件比较苛刻的晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体生长装置 钽层 内层装置 外层装置 钼箔 组装 熔体生长法 高压条件 条件比较 耐受 申请 | ||
【主权项】：
1.一种晶体生长装置，其特征在于，包括：内层装置、钼箔、钽层装置、外层装置；其中，所述内层装置包括：内层装置体、内层装置盖，所述内层装置盖置于所述内层装置体上；所述钽层装置包括：钽管、钽层装置盖、钽层装置体，其中所述钽管焊接于所述钽层装置盖上；所述钽管用于向所述钽层装置内充入惰性气体，所述钽层装置盖焊接于所述钽层装置体上；所述外层装置包括：外层装置体、外层装置盖，其中所述外层装置盖置于所述外层装置体上；所述外层装置由金属钼制成；所述内层装置位于所述钽层装置内，所述钽层装置位于所述外层装置内，所述钼箔衬于所述钽层装置与所述内层装置之间，所述钼箔厚度为0.05‑0.5mm；所述内层装置由石墨制成。
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