[发明专利]一种选择发射极双面PERC电池的制备方法

摘要

本发明提供了一种较简洁的选择发射极双面PERC电池的制备方法，可以利用现有PERC产线机台，减少了制备成本。包括如下步骤S1、对硅片进行双面制绒；S2、对硅片的正面进行氧化层或氮化硅层保护；S3、根据正极栅线的图形，在硅片的正面开槽；S4、对硅片进行正面磷扩散，氧化层或氮化硅层的阻挡使未开槽的区域形成浅扩区，开槽区域形成重扩区，以形成选择发射极；S5、对硅片进行背刻或背抛光，并清洗表面磷硅玻璃；S6、对硅片进行背钝化，在正面镀减反射膜；S7、根据背面电极的图形，在硅片的背面开槽；S8、分别在硅片的正面和背面印刷栅线，其中正面栅线覆盖正面重扩区，背面栅线覆盖背面开槽区域；S9、烧结。

主权项

一种选择发射极双面PERC电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：、S1、对硅片进行双面制绒；S2、对步骤S1处理后的硅片的正面进行氧化层或氮化硅层保护；S3、根据正极栅线的图形，在步骤S2处理后的硅片的正面开槽；S4、对步骤S3处理后的硅片进行正面磷扩散，氧化层或氮化硅层的阻挡使未开槽的区域形成浅扩区，开槽区域形成重扩区，以形成选择发射极；S5、对步骤S4处理后的硅片进行背刻或背抛光，并清洗表面磷硅玻璃；S6、对步骤S5处理后的硅片进行背钝化，在正面镀减反射膜；S7、根据背面电极的图形，在步骤S6处理后的硅片的背面开槽；S8、分别在硅片的正面和背面印刷栅线，其中正面栅线覆盖正面重扩区，背面栅线覆盖背面开槽区域；S9、烧结。