[发明专利]具有可变鳍片间距的垂直传输FINFET装置有效
| 申请号： | 201710550344.3 | 申请日： | 2017-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN107591400B | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 布兰特·安德森;爱德华·J·诺瓦克 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有可变鳍片间距的垂直传输FINFET装置，其中，一种半导体装置包括以局部可变的鳍片间距布置的多个垂直传输鳍式场效应晶体管。在该装置的第一区域内，多个第一鳍片以第一间距(d1)布置，且在该装置的第二区域内，多个第二鳍片以小于该第一间距的第二间距(d2)布置。该多个第二鳍片共享合并的源、漏及栅区，而该多个第一鳍片的源、漏及栅区未合并。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 可变 间距 垂直 传输 finfet 装置 | ||
【主权项】：
一种垂直传输FinFET装置，包括：半导体衬底；多个第一鳍片，在该半导体衬底上以第一间距(d1)布置；以及多个第二鳍片，在该半导体衬底上以第二间距(d2)布置，其中，该第一间距与该第二间距之比(d1/d2)大于1。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
