[发明专利]光电探测结构及其制作方法、阵列基板、显示装置

摘要

本发明提出了光电探测结构及其制作方法、显示装置，该光电探测结构包括至少一个PIN单元，且该PIN单元包括：P型半导体；I型半导体；以及N型半导体，该N型半导体与I型半导体、P型半导体并排同层设置，且I型半导体设置在P型半导体与N型半导体之间。本发明所提出的光电探测结构，采用水平型设计的PIN光电探测结构，可有效地避免P型半导体对I型半导体的光吸收率的影响，从而可提高该光电探测结构的光电效率和识别能力，并且该水平型PIN光电探测结构的制作工艺步骤更简化、成本更低，具有工业化批量生产的潜力。

主权项

1.一种光电探测结构，其特征在于，包括多个PIN单元，且所述PIN单元包括：P型半导体；I型半导体；以及N型半导体，所述N型半导体与所述I型半导体、所述P型半导体并排同层设置，且所述I型半导体设置在所述P型半导体与所述N型半导体之间；所述光电探测结构进一步包括：基板，所述多个PIN单元并排同层设置在所述基板的一侧，且所述基板的一侧还设置有薄膜晶体管和引出电极；第一连接电极，所述第一连接电极包括第一子连接电极和第二子连接电极，所述第一子连接电极设置在所述P型半导体远离所述基板的一侧，且与所述P型半导体电连接，所述第二子连接电极设置在所述第一子连接电极远离所述基板的一侧，且与所述第一子连接电极、所述薄膜晶体管的漏极电连接；第二连接电极，所述第二连接电极包括第三子连接电极、第四子连接电极和第五子连接电极，所述第三子连接电极设置在所述N型半导体远离所述基板的一侧，且与所述N型半导体电连接，所述第四子连接电极设置在所述第三子连接电极远离所述基板的一侧，且与所述第三子连接电极电相连，所述第五子连接电极设置在所述第四子连接电极和所述引出电极的远离所述基板的一侧，且与所述第四子连接电极、所述引出电极电连接。