[发明专利]晶圆顶针及其形成方法在审
| 申请号： | 201710525497.2 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN109216254A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 余昌昊 |
| 地址： | 201306 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶圆顶针及其形成方法，所术晶圆顶针用于支撑晶圆，所述晶圆顶针包括顶针本体和接触层，所述顶针本体包括支撑杆和位于所述支撑杆上的支撑头，所述接触层位于所述顶针本体表面上，所述接触层为立方碳化硅层。本发明提供的晶圆顶针及其形成方法，晶圆顶针用于支撑进行外延生长的晶圆，晶圆顶针包括顶针本体和位于所述顶针本体表面上的接触层，所述接触层为立方碳化硅，使晶圆顶针具有较佳的表面粗糙度并且更佳耐磨和耐腐蚀，可适应于外延生长工艺的需要，并可在支撑装置中的升降过程中减少晶圆顶针产生的颗粒物，保证生产产品的品质。 | ||
| 搜索关键词： | 圆顶针 顶针 接触层 立方碳化硅 支撑杆 晶圆 外延生长工艺 表面粗糙度 生产产品 升降过程 外延生长 支撑装置 颗粒物 耐腐蚀 支撑头 耐磨 支撑 种晶 保证 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆顶针，所述晶圆顶针用于支撑晶圆，其特征在于，所述晶圆顶针包括：顶针本体，所述顶针本体包括支撑杆和位于所述支撑杆上的支撑头；接触层，所述接触层位于所述顶针本体表面上，所述接触层为立方碳化硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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