[发明专利]一种高压器件工作在低电压下的全差分低功耗比较器

摘要

本发明公开了一种高压器件工作在低电压下的全差分低功耗比较器，其包括有前置全差分放大器、限流反相器和再生正反馈锁存器，前置全差分放大器包括有第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管，第二PMOS管和第三PMOS管交互连接而形成负电阻，其与第一PMOS管和第四PMOS管的电阻相互抵消，使得前置放大器的增益大大提高；限流反相器用于对前置全差分放大器的输出信号进行二级放大；再生正反馈锁存器用于将限流反相器输出的模拟信号转换为数字信号。本发明实现了在低电流条件下增加前置放大器的增益，提高了后置锁存器的再生正反馈速度，以及实现了在低电源电压与低静态电流条件下的高速高精度信号处理。

主权项

一种高压器件工作在低电压下的全差分低功耗比较器，其特征在于，包括有前置全差分放大器(1)、限流反相器(2)和再生正反馈锁存器(3)，其中：：所述前置全差分放大器(1)包括有第一PMOS管(MP0)、第二PMOS管(MP1)、第三PMOS管(MP2)、第四PMOS管(MP3)、第一NMOS管(MNA)、第二NMOS管(MNB)、第三NMOS管(MNC)和第四NMOS管(MND)，所述第一PMOS管(MP0)的发射极、第二PMOS管(MP1)的发射极、第三PMOS管(MP2)的发射极和第四PMOS管(MP3)的发射极均连接于高电位(VDDA)，所述第二PMOS管(MP1)的栅极、第三PMOS管(MP2)的漏极、第四PMOS管(MP3)的漏极和第四PMOS管(MP3)的栅极相连接后作为前置全差分放大器(1)的第一输出端，所述第一PMOS管(MP0)的栅极、第一PMOS管(MP0)的漏极、第二PMOS管(MP1)的漏极和第三PMOS管(MP2)的栅极相连接后作为前置全差分放大器(1)的第二输出端，所述第二NMOS管(MNB)的漏极和第四NMOS管(MND)的漏极均连接于前置全差分放大器(1)的第一输出端，所述第一NMOS管(MNA)的漏极和第三NMOS管(MNC)的漏极均连接于前置全差分放大器(1)的第二输出端，所述第一NMOS管(MNA)的栅极和第二NMOS管(MNB)的栅极分别用于接收输入电压信号，所述第三NMOS管(MNC)的栅极和第四NMOS管(MND)的栅极分别用于接入参考电压信号，所述第一NMOS管(MNA)的源极、第二NMOS管(MNB)的源极、第三NMOS管(MNC)的源极和第四NMOS管(MND)的源极均连接于低电位(VSSA)；所述限流反相器(2)连接于前置全差分放大器(1)的第一输出端和第二输出端，所述限流反相器(2)用于对前置全差分放大器(1)的输出信号进行二级放大；所述再生正反馈锁存器(3)连接于限流反相器(2)的第一输出端和第二输出端，所述再生正反馈锁存器(3)用于将限流反相器(2)输出的模拟信号转换为数字信号。