[发明专利]一种低温生长石墨烯的方法在审
| 申请号： | 201710517063.8 | 申请日： | 2017-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN107161985A | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 汪永辉;汪盛明 | 申请（专利权）人： | 南陵县生产力促进中心 |
| 主分类号： | C01B32/184 | 分类号： | C01B32/184 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241300 安徽省芜*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低温生长石墨烯的方法，包括如下步骤1）以结晶状氯化钠（NaCl）为衬底，在其上事先采用磁控溅射方法预沉积一层厚度为10nm的Zn薄膜。2）‑将上述预沉积有Zn膜的NaCl衬底置于管式电阻炉中，加热至300‑350℃，通入H2‑CH4‑N2为反应气体，反应3.5小时。3）反应结束后，关闭电源，继续通入H2气，利用H2气冷却，使样品快速冷却至室温，得到所需的产物石墨烯。根据上述低温生长方法制得的石墨烯，为二维层状结构，竖直生长在衬底上，并互相连接形成多孔结构，形貌结构均匀。本发明生长温度降低至300℃，这是石墨烯生长的非常低的温度；且生长制得的石墨烯形貌均匀、多孔具有搞得比表面积，在超级电容器中具有广阔应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 生长 石墨 方法 | ||
【主权项】：
一种低温生长石墨烯的方法，其特征在于，包括如下步骤：1）以结晶状氯化钠为衬底，在其上事先采用磁控溅射方法预沉积一层Zn薄膜；2）将上述预沉积有Zn膜的氯化钠衬底置于管式电阻炉中，加热至300‑350℃，通入H2‑CH4‑N2为反应气体，反应3.5小时；3）反应结束后，关闭电源，停止通入N2和CH4，继续通入H2气，并使气体压强升至1000Pa，利用H2气冷却，使样品快速冷却至室温，得到所需的产物石墨烯。
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