[发明专利]一种红外传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201710516641.6 | 申请日： | 2017-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN107331605B | 公开（公告）日： | 2020-03-20 |
| 发明（设计）人： | 康晓旭 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266;H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种红外传感器及其制备方法，红外传感器包括：一衬底，衬底上具有敏感层；在敏感层侧壁和顶部覆盖有电极层图案；敏感层顶部与电极层图案底部相接触的表层具有掺杂敏感层；掺杂敏感层是通过离子轰击透过电极层图案进入敏感层中得到的。本发明利用离子注入来改善电极层和敏感层之间的接触，不需要对敏感层和电极层进行高温退火，避免对器件和后道互连的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 红外传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种红外传感器，其特征在于，包括：一衬底，衬底上具有敏感层；在所述敏感层侧壁和顶部覆盖有电极层图案；所述敏感层顶部与电极层图案底部相接触的表层具有掺杂敏感层；通过离子轰击敏感层表面，轰击的离子进入敏感层中，从而得到掺杂敏感层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
