[发明专利]CdS纳米晶的制备方法在审
| 申请号： | 201710498728.5 | 申请日： | 2017-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN109133157A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 黄孝如 | 申请（专利权）人： | 海门市绣羽工业设计有限公司 |
| 主分类号： | C01G11/02 | 分类号： | C01G11/02;C01B19/04;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 226100 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CdSe纳米晶的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：S1、将Se粉溶于Na2SO3溶液中，加热使其充分溶解，得到Na2SeSO3溶液；S2、将镉盐与稳定剂巯基乙酸溶于水溶液中，将Na2SeSO3溶液加入上述水溶液中生成溶胶，然后加热溶胶并回流冷却；S3、向冷却后溶胶中加入丙酮，得到沉淀，离心分离得到CdSe纳米晶；S4、将CdSe纳米晶采用CdCl2进行湿法处理。本发明对CdSe纳米晶进行CdCl2湿法处理，提高了CdSe纳米晶的结晶度，降低了缺陷态密度，可广泛应用于电致发光器件中，提高了期间的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米晶 制备 湿法处理 电致发光器件 缺陷态密度 回流冷却 加热溶胶 使用寿命 巯基乙酸 结晶度 稳定剂 丙酮 镉盐 加热 沉淀 冷却 溶解 应用 | ||
【主权项】：
1.一种CdSe纳米晶的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：S1、将Se粉溶于Na2SO3溶液中，加热使其充分溶解，得到Na2SeSO3溶液；S2、将镉盐与稳定剂巯基乙酸溶于水溶液中，将Na2SeSO3溶液加入上述水溶液中生成溶胶，然后加热溶胶并回流冷却；S3、向冷却后溶胶中加入丙酮，得到沉淀，离心分离得到CdSe纳米晶；S4、将CdSe纳米晶采用CdCl2进行湿法处理。
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