[发明专利]评价高压环境对临近器件特性影响的测试方法在审
| 申请号： | 201710491285.7 | 申请日： | 2017-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN109116210A | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 陆宇 | 申请（专利权）人： | 上海卓弘微系统科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201399 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种高压环境对标准单元库影响的测试方法，考虑到SOI低压与高压器件共存的工作环境，该方法通过测量被测单元的延迟和信号的波动，实现对高压环境下，单元工作情况的检测。通过设置高压器件与低压器件的多种距离，以及通过缓冲器设置高压器件的开启时刻，测试高压环境对测试单元的不同种类的影响。在测试芯片中添加选择器来减少PAD的个数，达到了减少芯片面积的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 高压环境 高压器件 缓冲器 标准单元库 测试 被测单元 测试单元 测试高压 测试芯片 低压器件 开启时刻 器件特性 选择器 延迟 测量 芯片 检测 | ||
【主权项】：
1.一种测试高压环境对标准单元影响的方法，测试不同距离高压器件的开关对标准单元的影响，以及高压器件开启时刻对于测试单元的影响。
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