[发明专利]一种制备高密度电子级纯度半导体性超长水平纳米管阵列的方法有效
| 申请号： | 201710483332.3 | 申请日： | 2017-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN107082412B | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 朱振兴;魏飞;孙斯磊 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C01B32/159 | 分类号： | C01B32/159;C01B32/162;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 钱学宇 |
| 地址： | 10000*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制备高密度电子级纯度半导体性超长水平纳米管阵列的方法，包括负载催化剂并放置基底、升温反应制备超长碳纳米管、重复生长以及取样切除等步骤。本发明方法中，通过精细优化碳纳米管制备工艺以及长度，能够获得高密度、超高半导体纯度的水平碳纳米管阵列，为制约当前碳基集成电路发展最为核心的高纯半导体性水平阵列碳纳米管制备难题提供了一种简单可靠的方法，具有广阔的商业化应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 高密度 电子 纯度 半导体 超长 水平 纳米 阵列 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备高密度电子级纯度半导体性超长水平纳米管阵列的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：(a)在负载有催化剂的反应器中放置基底；和/或，将至少有一个基底上负载有催化剂的多片基底置于反应器中；(b)在气体保护条件下升温至反应温度，通入碳源和载体的混合气进行反应；(c)经过反应时间t1后，通入气体切换为保护气，并持续时间t2；然后，通入气体切换为碳源和载体的混合气，并持续时间t3；其中，保护气的流量为步骤(b)中混合气体积流量的1/4～1/2；t1为20～120min，t2为3～5min，t3为t1时长的1/10～1/2；(d)重复步骤(c)5～100次，通入气体切换为保护气，并降温至室温，取出基底；(e)将长度小于15cm超长纳米管所在的基底切除，剩余基底上的产物即为高密度、具有窄直径和手性分布、电子级纯度的半导体性超长水平碳纳米管阵列。
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