[发明专利]用来监控镍硅化物的形成的方法在审
| 申请号： | 201710455944.1 | 申请日： | 2017-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN109148313A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 菊蕊 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司;联芯集成电路制造(厦门)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种用来监控镍硅化物的形成的方法，其步骤包含进行一蚀刻制作工艺在栅极结构的两侧形成间隔壁、进行一快速热处理制作工艺在栅极结构与基底上形成镍硅化物特征、针对镍硅化物特征进行一电子束检测、以及将电子束检测所得到的信息回馈到先进制作工艺控制系统。 | ||
| 搜索关键词： | 镍硅化物 电子束检测 栅极结构 制作工艺 蚀刻制作工艺 快速热处理 控制系统 信息回馈 间隔壁 监控 基底 | ||
【主权项】：
1.一种用来监控镍硅化物的形成的方法，包含：提供一基底；在该基底上形成栅极结构；在该栅极结构与该基底上形成一介电层；进行一蚀刻制作工艺，使得该介电层转变成位于该栅极结构两侧的间隔壁；进行一快速热处理制作工艺，在该栅极结构与该基底上形成镍硅化物特征；针对该镍硅化物特征进行一电子束检测；以及将该电子束检测所得到的信息回馈到制作工艺控制系统。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
