[发明专利]铁电膜层的制造方法、铁电隧道结单元、存储器元件及其写入与读取方法在审
| 申请号： | 201710447991.1 | 申请日： | 2017-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN109087997A | 公开（公告）日： | 2018-12-25 |
| 发明（设计）人： | 刘福洲 | 申请（专利权）人： | 萨摩亚商费洛储存科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/22;G11C11/56 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;王芝艳 |
| 地址： | 萨摩亚*** | 国省代码： | 萨摩亚;WS |
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| 摘要： | 本发明公开一种铁电膜层的制造方法、铁电隧道结单元、应用其的存储器元件及其写入与读取方法。铁电隧道结单元包括：第一电极、第二电极以及一夹设于第一电极与第二电极之间的铁电膜层，构成铁电膜层的材料至少包括一基底材料以及一掺杂物，且基底材料包括两个氧化物，每一个氧化物是一碱土金属氧化物以及一过渡金属氧化物两者之中的至少一种，且掺杂物包括铝原子、硅原子、钛原子、钽原子、氮原子、镧原子、氮化钽、氮化钛或其组合。通过在铁电膜层的基底材料中加入不同的掺杂物以及调整掺杂物的浓度，可调变铁电膜层的矫顽电场。 | ||
| 搜索关键词： | 铁电膜层 掺杂物 隧道结单元 基底材料 铁电 读取 存储器元件 第二电极 第一电极 氧化物 写入 过渡金属氧化物 碱土金属氧化物 矫顽电场 氮化钛 氮化钽 氮原子 硅原子 铝原子 钛原子 钽原子 镧原子 夹设 可调 制造 应用 | ||
【主权项】：
1.一种铁电隧道结单元，其特征在于，所述铁电隧道结单元包括：一第一电极、一第二电极以及一夹设于所述第一电极与所述第二电极之间的铁电膜层，构成所述铁电膜层的材料至少包括一基底材料以及一掺杂物，且所述基底材料包括两个氧化物，每一个所述氧化物是一碱土金属氧化物以及一过渡金属氧化物两者之中的至少一种，且所述掺杂物包括铝原子、硅原子、钛原子、钽原子、氮原子、镧原子、氮化钽、氮化钛或其组合。
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