[发明专利]功率放大模块有效
| 申请号： | 201710447477.8 | 申请日： | 2017-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN107769734B | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 石原翔太;新冨雄二;松村哲 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H03F1/12 | 分类号： | H03F1/12;H03F1/56;H03F3/19;H03F3/21 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 干欣颖 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种即使元件存在差异也能抑制高次谐波终端电路的特性劣化的功率放大模块。功率放大模块包括：放大器，该放大器对输入信号进行放大并输出放大信号；高次谐波终端电路，该高次谐波终端电路设置于放大器的后级，并使放大信号的高次谐波分量衰减，且具备至少1个FET；以及控制电路，该控制电路对至少1个FET的栅极电压进行控制，从而调整至少1个FET的寄生电容的电容值，控制电路对至少1个FET的寄生电容的电容值进行调整，从而调整高次谐波终端电路的谐振频率。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 放大 模块 | ||
【主权项】：
一种功率放大模块，其特征在于，包括：放大器，该放大器对输入信号进行放大并输出放大信号；高次谐波终端电路，该高次谐波终端电路设置于所述放大器的后级，并使所述放大信号的高次谐波分量衰减，且具备至少1个FET；以及控制电路，该控制电路对所述至少1个FET的栅极电压进行控制，从而调整所述至少1个FET的寄生电容的电容值，所述控制电路对所述至少1个FET的寄生电容的电容值进行调整，从而调整所述高次谐波终端电路的谐振频率。
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