[发明专利]一种片式元器件制程用离型膜的制造方法及其制得的离型膜有效
申请号: | 201710437601.2 | 申请日: | 2017-06-12 |
公开(公告)号: | CN107266696B | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
发明(设计)人: | 梁仁调;郭庆超;肖飞 | 申请(专利权)人: | 浙江洁美电子科技股份有限公司 |
主分类号: | C08J7/04 | 分类号: | C08J7/04;C08L67/02;C08K3/26;C08K3/36;C08K3/22;C09D183/07;C09D5/20 |
代理公司: | 浙江千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人: | 裴金华 |
地址: | 313300 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明涉及一种片式元器件制程用离型膜的制造方法及其制得的离型膜,制造方法包括步骤:(1)基膜的制备:在基料中加入1000‑1600ppm添加粒子,得到厚度为20‑75μm的基膜,所述添加粒子为二氧化硅、碳酸钙、碳酸镁、碳酸钡、硫酸钡、氧化铝、氧化钛中的一种或多种,所述添加粒子的粒径为500‑1500nm;(2)离型剂的制备;(3)离型膜的制备:在所述基膜上涂布所述离型剂,得到离型膜。所制得的离型膜,表面粗糙度Ra≤0.25μm;离型剂涂层厚度为60‑300nm,离型力为2‑40g/inch;离型膜的残余接着率≥90%,优选96%。 | ||
搜索关键词: | 一种 元器件 制程用离型膜 制造 方法 及其 离型膜 | ||
【主权项】:
一种片式元器件制程用离型膜的制造方法,其特征在于,包括步骤:(1)基膜的制备:在基料中加入1000‑1600ppm添加粒子,得到厚度为20‑75μm的基膜,所述添加粒子为二氧化硅、碳酸钙、碳酸镁、碳酸钡、硫酸钡、氧化铝、氧化钛中的一种或多种,所述添加粒子的粒径为500‑1500nm;(2)离型剂的制备:离型剂的原料包括:乙烯基端基有机硅树酯、丁炔醇、硅烷偶联剂、铂金络合物、溶剂;(3)离型膜的制备:在所述基膜上涂布所述离型剂,得到离型膜。
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