[发明专利]一种用于KDP晶体的含水有机清洗液在审

专利信息
申请号: 201710407487.9 申请日: 2017-06-02
公开(公告)号: CN107416786A 公开(公告)日: 2017-12-01
发明(设计)人: 李晓媛;董会;高伟;王超;吉方;王宝瑞 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院机械制造工艺研究所
主分类号: C01B25/30 分类号: C01B25/30
代理公司: 中国工程物理研究院专利中心51210 代理人: 翟长明,韩志英
地址: 621999 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种用于KDP晶体的含水有机清洗液。该清洗液包括去离子水、有机溶剂和表面活性剂。本发明的用于KDP晶体的含水有机清洗液,利用KDP易溶于水这一理化特性,在清洗液中加入去离子水作为该清洗液的活性物质,通过控制清洗液中水的存在形式、含量来控制其与KDP元件表面的作用效率,能达到去除其表面污染物而不损害表面质量的目的。本发明的用于KDP晶体的含水有机清洗液性质稳定,采用去离子水作为活性成分不会在KDP晶体表面产生新的杂质;通过可控的潮解作用,能有效去除磁流变抛光加工后表面残留的基液和固体颗粒,提高KDP晶体的表面质量。
搜索关键词: 一种 用于 kdp 晶体 含水 有机 清洗
【主权项】:
一种用于KDP晶体的含水有机清洗液,其特征在于:所述的清洗液包括去离子水、有机溶剂和表面活性剂,各组分的质量百分比含量为:去离子水                               1%~15%;有机溶剂                               82%~98%;表面活性剂                             1%~3%。
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