[发明专利]一种利用薄膜技术制备氮化铝覆铜基板的方法有效
| 申请号： | 201710402844.2 | 申请日： | 2017-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN107256829A | 公开（公告）日： | 2017-10-17 |
| 发明（设计）人： | 谢斌 | 申请（专利权）人： | 合肥邦诺科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京华仲龙腾专利代理事务所(普通合伙)11548 | 代理人： | 李静 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市高新区*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种利用薄膜技术制备氮化铝覆铜基板的方法，包括以下步骤：(1)利用真空镀膜技术在氮化铝基板上真空蒸镀一定厚度的金属封接焊料；(2)对无氧铜板和氮化铝基板进行清洗，干燥后备用；(3)将无氧铜板封接到上步所得氮化铝基板上；(4)将无氧铜板蚀刻成按照设计要求的线路；(5)在上步所得氮化铝基板上镀镍，(6)在上步所得的基板上印刷阻焊区域。该利用薄膜技术制备氮化铝覆铜基板的方法简单，可实现薄膜型氮化铝覆铜基板的国产化生产；氮化铝基板具有优良的导热性，绝缘和耐高电压的特性；无氧铜板具有极高的载流能力，且无氧铜板便于刻蚀电路，形成电路基板。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 薄膜 技术 制备 氮化 铝覆铜基板 方法 | ||
【主权项】：
一种利用薄膜技术制备氮化铝覆铜基板的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)利用真空镀膜技术在氮化铝基板上真空蒸镀一定厚度的金属封接焊料；(2)对无氧铜板和氮化铝基板进行清洗，干燥后备用；(3)将无氧铜板封接到上步所得氮化铝基板上；(4)将无氧铜板蚀刻成要求图案和花纹；(5)在上步所得氮化铝基板上镀镍；(6)在上步所得的基板上印刷阻焊区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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