[发明专利]一种探测基板及其制备方法、x射线探测器有效
| 申请号： | 201710391276.0 | 申请日： | 2017-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN107170765B | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 卜倩倩 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 黄威;邓玉婷 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种探测基板，其形成有TFT器件和PIN器件，探测基板包括：基板；源漏极金属层，其形成在基板上方，源漏极金属层包括TFT电极区和PIN电极区，TFT电极区用作TFT器件的源漏电极，PIN电极区用作PIN器件的下部电极，其中，TFT电极区上形成有钝化层，钝化层的邻近PIN电极区的部分的表面与PIN电极区的表面相接并齐平。本发明还公开了制备探测基板的方法和包括探测基板的x射线探测器。通过本发明的技术方案，能够减小PIN器件的内部应力，提高PIN器件的探测灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 探测 及其 制备 方法 射线 探测器 | ||
【主权项】：
一种探测基板，其形成有TFT器件和PIN器件，所述探测基板包括：基板；源漏极金属层，其形成在所述基板上方，所述源漏极金属层包括TFT电极区和PIN电极区，TFT电极区用作TFT器件的源漏电极，PIN电极区用作PIN器件的下部电极，其中，所述TFT电极区上形成有钝化层，所述钝化层的邻近PIN电极区的部分的表面与PIN电极区的表面相接并齐平。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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