[发明专利]一种表面隧穿微型电子源及其阵列和实现方法有效
| 申请号： | 201710390423.2 | 申请日： | 2017-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN107248489B | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | 魏贤龙;吴功涛 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01J37/073 | 分类号： | H01J37/073;H01J9/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公布了一种表面隧穿微型电子源及其阵列和实现方法，所述表面隧穿微型电子源是平面多区结构，包括一绝缘衬底，在绝缘衬底表面具有两个导电区域和一个绝缘区域，其中，所述绝缘区域位于两个导电区域之间并与两个导电区域相连，两个导电区域的最小间隔即所述绝缘区域的最小宽度≤100nm。相比于现有垂直多层结构的隧穿电子源，本发明电子源及其阵列具有电子发射效率高、结构简单、加工方便、易于大规模阵列集成等优点，可以广泛地应用于涉及电子源的各种电子器件，例如X射线管、微波管、平板显示器等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面 微型 电子 及其 阵列 实现 方法 | ||
【主权项】：
一种隧穿电子源，其特征在于，所述隧穿电子源是平面多区结构的表面隧穿微型电子源，包括一绝缘衬底，在绝缘衬底表面具有两个导电区域和一个绝缘区域，其中，所述绝缘区域位于两个导电区域之间并与两个导电区域相连，两个导电区域的最小间隔即所述绝缘区域的最小宽度≤100nm。
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