[发明专利]一种钽酸锂基片黑化方法在审
| 申请号： | 201710372449.4 | 申请日： | 2017-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN107099847A | 公开（公告）日： | 2017-08-29 |
| 发明（设计）人： | 叶竹之;陆旺;李辉;蒲波;雷晗 | 申请（专利权）人： | 成都泰美克晶体技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B29/30 |
| 代理公司： | 成都金英专利代理事务所(普通合伙)51218 | 代理人： | 袁英 |
| 地址： | 610017 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种钽酸锂基片黑化方法，包括以下步骤钽酸锂基片通过C粉或石墨粉埋覆在石英槽或耐高温金属槽中；在低真空度还原炉内，通入带水蒸气的，还原反应炉温度控制在450‑500℃，恒温3~10h；与C粉发生反应生成、CO与钽酸锂基片进行还原反应，尾气处理后排放；还原反应结束后取出钽酸锂基片。本发明提出的钽酸锂晶片黑化工艺方法，原材料C价格便宜成本低，通过反应生成的H2、CO大部分与钽酸锂发生还原反应，效率高且生产安全。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钽酸锂基片黑化 方法 | ||
【主权项】：
一种钽酸锂基片黑化方法，其特征在于包括以下步骤：S01：钽酸锂基片通过C粉或石墨粉埋覆在石英槽或耐高温金属槽中；S02：在低真空度还原炉内，通入带水蒸气的，还原反应炉温度控制在450‑500℃，恒温3~10h；S03：与C粉发生反应生成、CO与钽酸锂基片进行还原反应，尾气处理后排放；S04：还原反应结束后取出钽酸锂基片。
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