[发明专利]一种CMOS反相器MOS阈值电压的测量方法有效
| 申请号: | 201710365036.3 | 申请日: | 2017-05-22 |
| 公开(公告)号: | CN107229008B | 公开(公告)日: | 2019-05-21 |
| 发明(设计)人: | 刘刚;李静月;刘锦辉;李苗蕊;王泉 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
| 主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26;G01R19/00 |
| 代理公司: | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人: | 韦全生;王品华 |
| 地址: | 710071 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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| 摘要: | 本发明提出了一种CMOS反相器MOS阈值电压的测量方法,用于解决现有技术无法同时测量已封装CMOS反相器内部NMOS阈值电压和PMOS阈值电压的技术问题,实现步骤为:直流电压源为CMOS反相器施加直流电压,同时信号发生器为CMOS反相器施加脉冲信号;双通道示波器同时采集CMOS反相器的输入电压和输出电压;绘制CMOS反相器一个周期的静态电压传输曲线;计算静态电压传输曲线转换点的增益;绘制转换点增益直线;计算转换点增益直线与静态电压传输曲线重合区间的端点;获取NMOS的阈值电压Vthn和PMOS的阈值电压Vthp。本发明测量效率高,通用性强,可用于数字电路设计和仿真中阈值电压的提取和分析。 | ||
| 搜索关键词: | 阈值电压 传输曲线 静态电压 转换点 测量 绘制 数字电路设计 双通道示波器 施加 信号发生器 直流电压源 测量效率 脉冲信号 输出电压 输入电压 通用性强 直流电压 重合 可用 封装 采集 分析 | ||
【主权项】:
1.一种CMOS反相器MOS阈值电压的测量方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)直流电压源为CMOS反相器施加直流电压Vdd,同时信号发生器为CMOS反相器施加脉冲信号;(2)双通道示波器同时采集CMOS反相器的输入电压Vin和输出电压Vout;(3)利用输入电压Vin和输出电压Vout,绘制CMOS反相器一个周期的静态电压传输曲线C;(4)计算静态电压传输曲线C转换点Vsp的增益v:计算静态电压传输曲线C转换点Vsp,即输入电压Vin和输出电压Vout数值相等的点的增益v:
其中,dVout是输出电压Vout的导数,dVin是输入电压Vin的导数,gmn是NMOS的跨导,gmp是PMOS的跨导,goupn是NMOS的输出跨导,goupp是PMOS的输出跨导;(5)绘制转换点增益直线f(x):在静态电压传输曲线C上绘制一条通过转换点Vsp、且斜率等于转换点Vsp增益v的直线,得到转换点增益直线f(x);(6)计算转换点增益直线f(x)与静态电压传输曲线C重合区间的端点:当x∈[0,Vsp]时,将转换点增益直线f(x)与静态电压传输曲线C的第一个重合点作为上端点p;当x∈(Vsp,Vdd]时,将转换点增益直线f(x)与静态电压传输曲线的分离点作为下端点n;(7)获取NMOS的阈值电压Vthn和PMOS的阈值电压Vthp:通过重合区间的上端点p作一条斜率为1的上分隔直线Lp(x),通过重合区间的下端点n,作一条斜率为1的下分隔直线Ln(x),上分隔直线Lp(x)与纵坐标正半轴交点所对应的电压值的负值为PMOS的阈值电压,下分隔直线Ln(x)与横坐标正半轴交点所对应的电压值为NMOS的阈值电压。
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