[发明专利]一种同时回收贵金属和制备高纯硅的方法有效
| 申请号： | 201710363321.1 | 申请日： | 2017-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN107312931B | 公开（公告）日： | 2018-11-27 |
| 发明（设计）人： | 雷云;马文会;伍继君;李绍元;魏奎先 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | C22B7/00 | 分类号： | C22B7/00;C22B11/00;C01B33/037 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种同时回收贵金属和制备高纯硅的方法，属于贵金属资源清洁利用和硅提纯技术领域。将待处理贵金属物料、硅物料和添加剂一起进行熔炼，保温后得到熔渣和硅基合金；将得到的硅基合金经热处理，使贵金属在硅凝固过程中往硅晶界偏析和富集；将热处理过后的硅基合金研磨成粉末状；用湿法浸出硅晶界处的非硅物相，使被捕集到硅基合金中的贵金属转移到浸出液；将浸出物料进行过滤处理，分别得到固态高纯硅粉和含贵金属的浸出液；将得到的高纯硅粉作为硅物料重新循环使用，或送往光伏或电子产品企业作为制备太阳能级硅或电子级硅的原材料。本发明与现有的铁捕集法和铜捕集法相比，具有无碳排放、低成本、流程短的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 同时 回收 贵金属 制备 高纯 方法 | ||
【主权项】：
1.一种同时回收贵金属和制备高纯硅的方法，其特征在于包括以下步骤：（1）将待处理贵金属物料、硅物料和添加剂一起进行熔炼，保温后得到熔渣和硅基合金；（2）将步骤（1）中得到的硅基合金经热处理，使贵金属在硅凝固过程中往硅晶界偏析和富集；所述步骤（2）中热处理过程包括加热到硅基合金重熔后冷却至700℃以下，或者加热到硅基合金熔点以下然后冷却至700℃以下，冷却速度为≥0.1℃/分钟；（3）将步骤（2）中热处理过后的硅基合金研磨成粉末状；用湿法浸出硅晶界处的非硅物相，使被捕集到硅基合金中的贵金属转移到浸出液；（4）将步骤（3）中浸出物料进行过滤处理，分别得到固态高纯硅粉和含贵金属的浸出液；（5）将步骤（4）中得到的高纯硅粉作为步骤（1）中的硅物料重新循环使用，或送往光伏或电子产品企业作为制备太阳能级硅或电子级硅的原材料。
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