[发明专利]一种同时回收贵金属和制备高纯硅的方法

权利要求书

1.一种同时回收贵金属和制备高纯硅的方法，其特征在于包括以下步骤：

（1）将待处理贵金属物料、硅物料和添加剂一起进行熔炼，保温后得到熔渣和硅基合金；

（2）将步骤（1）中得到的硅基合金经热处理，使贵金属在硅凝固过程中往硅晶界偏析和富集；所述步骤（2）中热处理过程包括加热到硅基合金重熔后冷却至700℃以下，或者加热到硅基合金熔点以下然后冷却至700℃以下，冷却速度为≥0.1℃/分钟；

（3）将步骤（2）中热处理过后的硅基合金研磨成粉末状；用湿法浸出硅晶界处的非硅物相，使被捕集到硅基合金中的贵金属转移到浸出液；

（4）将步骤（3）中浸出物料进行过滤处理，分别得到固态高纯硅粉和含贵金属的浸出液；

（5）将步骤（4）中得到的高纯硅粉作为步骤（1）中的硅物料重新循环使用，或送往光伏或电子产品企业作为制备太阳能级硅或电子级硅的原材料。

2.根据权利要求1所述的同时回收贵金属和制备高纯硅的方法，其特征在于：所述步骤（1）中待处理贵金属物料主要是指含有至少一种贵金属元素的物料，包括含铂族金属的失效汽车尾气净化催化剂或石油化学工业用载体催化剂。

3.根据权利要求1所述的同时回收贵金属和制备高纯硅的方法，其特征在于：所述步骤（1）中硅物料包括单质硅或以硅为主的硅基合金。

4.根据权利要求1所述的同时回收贵金属和制备高纯硅的方法，其特征在于：所述步骤（1）中添加剂为CaO、SiO₂、Al₂O₃、MgO中的一种或几种任意比例混合物，总添加量为待处理贵金属物料质量的≥30%；但当贵金属物料中已含CaO、SiO₂、Al₂O₃、MgO中的两种及两种以上时，可以有不加入添加剂的情况。

5.根据权利要求1所述的同时回收贵金属和制备高纯硅的方法，其特征在于：所述步骤（1）中熔炼温度为≥1450℃，保温时间≥1小时。

6.根据权利要求1所述的同时回收贵金属和制备高纯硅的方法，其特征在于：所述步骤（3）中湿法浸出过程中加入的浸出剂为含氢氟酸、盐酸、硝酸、硫酸中的一种或多种任意比例混合物，浸出具体过程为：浸出液与硅基合金粉末液固比为≥1:1mL/g，浸出温度为≥25℃，浸出时间为≥1小时。