[发明专利]快闪存储器存储装置有效
| 申请号： | 201710355845.6 | 申请日： | 2017-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN108958639B | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 陈宗仁 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种快闪存储器存储装置，具有多种操作模式。快闪存储器存储装置包括存储器控制电路以及存储器晶胞阵列。存储器控制电路用以控制快闪存储器存储装置操作在多种操作模式其中之一。所述操作模式包括低待机电流模式。存储器晶胞阵列耦接至存储器控制电路。存储器晶胞阵列用以存储数据。所述数据包括只读存储器数据。存储器控制电路依据第一指令控制快闪存储器存储装置进入低待机电流模式。存储器控制电路依据第二指令从低待机电流模式唤醒快闪存储器存储装置。快闪存储器存储装置操作在低待机电流模式时，只读存储器数据被保持。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种快闪存储器存储装置，其特征在于，具有多种操作模式，并且所述快闪存储器存储装置包括：存储器控制电路，用以控制所述快闪存储器存储装置操作在所述多个操作模式其中之一，其中所述多个操作模式包括低待机电流模式；以及存储器晶胞阵列，耦接至所述存储器控制电路，用以存储数据，所述数据包括只读存储器数据，其中所述存储器控制电路依据第一指令控制所述快闪存储器存储装置进入所述低待机电流模式，并且依据第二指令从所述低待机电流模式唤醒所述快闪存储器存储装置，其中所述快闪存储器存储装置操作在所述低待机电流模式时，所述只读存储器数据被保持。
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