[发明专利]具有氮化镓量子点的紫外LED的外延结构及其生长方法

摘要

本发明提供一种具有氮化镓量子点的紫外LED的外延结构及其生长方法，生长方法包括如下步骤：1)在衬底上，从下至上依次生长缓冲层、非掺杂层、N型掺杂层；2)在所述N型掺杂层上生长Q个量子阱结构，所述每个量子阱结构包含量子阱层和量子垒层AlyGa1‑yN，并且所述量子阱层包含M个AlxGa1‑xN‑GaN量子点，其中，1≤Q≤50，1≤M≤10，0＜x＜1，0＜y＜1，x＜y，且Q、M均为正整数；3)在所述Q个量子阱结构上，从下至上依次生长电子阻挡层、P型掺杂AlvGa1‑vN层和P型掺杂GaN层，其中，0＜v＜1，v＞y。本发明能够极大地提高电子空穴复合几率，提高紫外LED的发光效率。

主权项

1.一种具有氮化镓量子点的紫外LED的外延结构的生长方法，其特征在于，包括如下步骤：1)在衬底上，从下至上依次生长缓冲层、非掺杂层、N型掺杂层；2)在所述N型掺杂层上生长Q个量子阱结构，每个所述量子阱结构包含量子阱层和量子垒层AlyGa1‑yN，并且所述量子阱层包含M个AlxGa1‑xN‑GaN量子点，其中，1≤Q≤50，1≤M≤10，0＜x＜1，0＜y＜1，x＜y，且Q、M均为正整数；3)在所述Q个量子阱结构上，从下至上依次生长电子阻挡层、P型掺杂AlvGa1‑vN层和P型掺杂GaN层，其中，0＜v＜1，v＞y。